CM150E3Y-24H
Artikelnummer CM150E3Y-24H
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer CM150E3Y-24H Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

CM150E3Y-24H

Einführung

IGBT-Modul, das für hocheffiziente und hochgeschwindigkeitsfähige Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit, niedrige Leistungsaufnahme, hohe Eingangsimpedanz.

Produktleistung

Effiziente Leit- und Schalteigenschaften, hohe thermische Leistung.

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 150A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, maximale Verlustleistung: variiert mit den Bedingungen.

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmäßige Modulverpackung der Branche, rechteckige Form, spezifische Abmessungen auf Anfrage erhältlich.

Qualität und Zuverlässigkeit

Robuste Bauqualität für industrielle Anwendungen, lange Lebensdauer mit minimaler Abnutzung.

Produktvorteile

Hohe Spannungs- und Stromtragfähigkeit, erhöhte Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Bereichen, die hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern, geschätzt für Robustheit und Langlebigkeit.

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-IGBT-Treibern und thermischen Managementsystemen.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht relevanten internationalen Sicherheits- und Qualitätsstandards.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine lange Lebensdauer mit nachhaltiger Leistung unter empfohlene Einsatzbedingungen entwickelt.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Energiemanagementsysteme, Wechselrichter für erneuerbare Energien, Stromstränge für Elektrofahrzeuge, industrielle Motorantriebe.

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